Физтех-ПорталФизтех-Портал
Rambler's Top100
Расписание занятийФорум приемной комиссииФорумы
 Поиск
 Информация

 Заметки

Лучшие люди при строжайшей селекции со всей России шли именно на Физтех. У нас было очень мало москвичей. Я москвич, родился в Москве и всю жизнь прожил здесь. Но у нас в группе из 12–15 человек было всего 2–3 москвича. Когда же варишься в очень талантливой среде, то привыкаешь к конкуренции. В тебе шлифуется лучшее — и то, что даёт Институт, и то, что в тебе заложено от папы с мамой; появляется честолюбие, хочется куда-то прорваться; воспитывается умение держать удар.

Кирпичников М. П. (академик РАН, бывший министр науки и технологий РФ) // Я — физтех.— М.: ЦентрКом.

Далее...
 Голосование
Какой из сайтов кафедр вы считаете лучшим?

Общей физики
Иностранных языков
Спорт-клуба МФТИ
Бизнес-школы
Высшей математики
Правоведения
Теоретической физики
Теоретической механики
Экономики
Факультета гуманитарных наук

Результаты
Архив голосований
 Новость подробно
Лекция «Полупроводниковые гетероструктуры» Егоров Антон Юрьевич д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
опубликовано: 22.05.2012



23 мая 2012 года в 11:00
ауд. 119 (гл.корпус)
приглашаются все желающие

Егоров Антон Юрьевич – российский физик, заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий. В 2011 году защитил докторскую диссертацию на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N – новый материал оптоэлектроники», в декабре того же года избран членом-корреспондентом РАН.
Работы Антона Юрьевича связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.



  Новости